[发明专利]一种基于SCR的高维持电压ESD器件有效

专利信息
申请号: 201910059548.6 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN109768041B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 乔明;齐钊;何林蓉;肖家木;梁龙飞;童成伟;张发备;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢;葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种基于SCR的高维持电压ESD器件,包括:P型衬底、NWELL区、第一N+接触区、第一P+接触区、PWELL区、第一齐纳注入区、第二N+接触区、第二P+接触区;第一齐纳注入区覆盖第二N+接触区尺寸为D1,第二P+接触区位于第二N+接触区右侧;第一N+接触区、第一P+接触区通过金属短接形成金属阳极;第二N+接触区、第二P+接触区通过金属短接形成金属阴极,本发明可以通过控制齐纳注入覆盖第二N+接触区距离D1调节器件的维持电压,可以通过控制浮空N+区与浮空P+区距离D2调节触发电压,本发明版图结构,在不增加横向面积的条件下,显著提高了器件的鲁棒性。
搜索关键词: 一种 基于 scr 维持 电压 esd 器件
【主权项】:
1.一种基于SCR的高维持电压ESD器件,其特征在于包括:P型衬底(101)、位于P型衬底(101)上方左侧的NWELL区(201)、位于NWELL区(201)内部上方的第一N+接触区(211)、位于NWELL区(201)内部上方的第一P+接触区(111);其中,P+接触区(111)位于第一N+接触区(211)右侧;位于P型衬底(101)上方右侧的PWELL区(102)、位于PWELL区(102)内部上方的第一齐纳注入区(121)、位于PWELL区(102)内部上方的第二N+接触区(212)、位于PWELL区(102)内部上方的第二P+接触区(112);其中,第一齐纳注入区(121)覆盖第二N+接触区(212)尺寸为D1,0≤D1<第二N+接触区总尺寸,第二P+接触区(112)位于第二N+接触区(212)右侧;第一N+接触区(211)、第一P+接触区(111)通过金属短接形成金属阳极(301);第二N+接触区(212)、第二P+接触区(112)通过金属短接形成金属阴极(302)。
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