[发明专利]一种基于SCR的高维持电压ESD器件有效
申请号: | 201910059548.6 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN109768041B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 乔明;齐钊;何林蓉;肖家木;梁龙飞;童成伟;张发备;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基于SCR的高维持电压ESD器件,包括:P型衬底、NWELL区、第一N+接触区、第一P+接触区、PWELL区、第一齐纳注入区、第二N+接触区、第二P+接触区;第一齐纳注入区覆盖第二N+接触区尺寸为D1,第二P+接触区位于第二N+接触区右侧;第一N+接触区、第一P+接触区通过金属短接形成金属阳极;第二N+接触区、第二P+接触区通过金属短接形成金属阴极,本发明可以通过控制齐纳注入覆盖第二N+接触区距离D1调节器件的维持电压,可以通过控制浮空N+区与浮空P+区距离D2调节触发电压,本发明版图结构,在不增加横向面积的条件下,显著提高了器件的鲁棒性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 scr 维持 电压 esd 器件 | ||
【主权项】:
1.一种基于SCR的高维持电压ESD器件,其特征在于包括:P型衬底(101)、位于P型衬底(101)上方左侧的NWELL区(201)、位于NWELL区(201)内部上方的第一N+接触区(211)、位于NWELL区(201)内部上方的第一P+接触区(111);其中,P+接触区(111)位于第一N+接触区(211)右侧;位于P型衬底(101)上方右侧的PWELL区(102)、位于PWELL区(102)内部上方的第一齐纳注入区(121)、位于PWELL区(102)内部上方的第二N+接触区(212)、位于PWELL区(102)内部上方的第二P+接触区(112);其中,第一齐纳注入区(121)覆盖第二N+接触区(212)尺寸为D1,0≤D1<第二N+接触区总尺寸,第二P+接触区(112)位于第二N+接触区(212)右侧;第一N+接触区(211)、第一P+接触区(111)通过金属短接形成金属阳极(301);第二N+接触区(212)、第二P+接触区(112)通过金属短接形成金属阴极(302)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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