[发明专利]硅控整流器

摘要

本发明公开了一种硅控整流器，包含一P型基板、一N型掺杂井区、一第一P型条状重掺杂区、一第一N型条状重掺杂区与至少一N型重掺杂区。第一P型条状重掺杂区设于N型掺杂井区中，第一N型条状重掺杂区设于P型基板中，N型重掺杂区设于N型掺杂井区与P型基板中。N型重掺杂区并未设于第一P型条状重掺杂区与第一N型条状重掺杂区之间，使半导体基板的表面区域得以缩减。上述元件的导电型态亦可以改变。

主权项

1.一种硅控整流器，其特征在于，包含：一P型基板；一N型掺杂井区，设于该P型基板中；一第一P型条状重掺杂区，设于该N型掺杂井区中；一第一N型条状重掺杂区，设于该P型基板中，该第一N型条状重掺杂区平行该第一P型条状重掺杂区；一第二P型条状重掺杂区，设于该P型基板中，并平行该第一N型条状重掺杂区；以及至少一N型重掺杂区，设于该P型基板与该N型掺杂井区中，该至少一N型重掺杂区位于该第一P型条状重掺杂区与该第一N型条状重掺杂区的外侧，该至少一N型重掺杂区靠近该第一P型条状重掺杂区，而非靠近该第一N型条状重掺杂区，该至少一N型重掺杂区并未位于该第一P型条状重掺杂区与该第一N型条状重掺杂区之间。