[发明专利]MOS栅晶体管及其构建方法有效
| 申请号： | 201910059689.8 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111463257B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 樱井建弥;吴磊;曹明霞 | 申请（专利权）人： | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS栅晶体管及其构建方法，其中MOS栅晶体管包括：n‑型漂移区的上方间距设置LOCOS氧化区域，LOCOS氧化区域上方设置n型多晶硅层，n型多晶硅层中形成有p基极区以及n+型发射区；n型多晶硅层上设置有多晶硅栅极结构，多晶硅栅极结构包括从下而上设置栅氧化层、多晶硅栅膜以及含硼及磷的硅化物，含硼及磷的硅化物上方设置有发射极；含硼及磷的硅化物的两侧设置有接触孔；n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，n+型缓冲区的下方设置p型集电极区，p型集电极区的下方连接集电极。本发明的MOS栅晶体管能兼顾通态电压及关断时间两个参数的取值，实现比较理想的载流子分布。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 构建 方法 | ||
【主权项】：
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