[发明专利]一种压电单晶元件的制备方法在审
申请号: | 201910059914.8 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN111463344A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 刘锦峰;许桂生;朱秀;陈梅林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L41/257 | 分类号: | H01L41/257;H01L41/25;H01L41/338 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;邹蕴 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种压电单晶元件的制备方法,具备:制备环形的压电单晶材料并在表面涂覆导电电极;对压电单晶材料进行分割并极化:先将环形的压电单晶材料以其轴心为中心而沿其周向均等分割为若干个扇面形状的材料块,而后对分割得到的材料块进行极化处理,或者,先对环形的压电单晶材料进行极化处理,而后以其轴心为中心而沿其周向均等分割为若干个扇面形状的材料块;挑选材料块中性能相近的数个,以相邻材料块之间的压电性能符号相反的形式,重新拼装成环形。根据本发明,能高效获得压电性能均匀性高的压电单晶元件,有效规避组分分凝以及极化工艺导致的压电性能分布不均匀和易碎等缺点。 | ||
搜索关键词: | 一种 压电 元件 制备 方法 | ||
【主权项】:
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