[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910061722.0 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109920883B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述低温缓冲层和所述三维成核层均为掺铍的GaN层，所述低温缓冲层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐升高，所述三维成核层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐降低。本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片可以提高外延层的底层晶体质量，进而提高外延层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，其特征在于，所述低温缓冲层和所述三维成核层均为掺铍的GaN层，所述低温缓冲层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐升高，所述三维成核层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐降低。
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