[发明专利]一种制作半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201910062002.6 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111477738B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 施易安;曾奕铭;李怡慧;刘盈成;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一金属间介电层于一基底上，然后形成一金属内连线于该金属间介电层内，形成一下电极层于该金属间介电层上，形成一遮盖层于该下电极层上，再去除部分该遮盖层、部分该下电极层以及部分该金属间介电层以形成一凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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