[发明专利]一种基于LIGBT的双栅控制采样器件

摘要

本发明提供一种基于LIGBT的双栅控制采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、衬底金属电极、外延氧化层、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阳极区、第二金属电极、第一导电类型半导体体区、氧化层、金属栅极、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体阴极区、第一个第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体掺杂区、第二个第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阴极区、第三金属电极、第四金属电极、第五金属电极、第一金属电极，器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。

主权项

1.一种基于LIGBT的双栅控制采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底(1)和位于第一导电类型半导体衬底(1)下表面的衬底金属电极(19)；所述第一导电类型半导体衬底(1)上表面具有外延氧化层(2)；所述外延氧化层(2)上表面具有第二导电类型半导体漂移区(3)；所述第二导电类型半导体漂移区(3)中具有第二导电类型半导体掺杂区(4)；所述第二导电类型半导体掺杂区(4)中具有第一导电类型半导体阳极区(5)，所述第一导电类型半导体阳极区(5)上表面具有第二金属电极(11)；所述第二导电类型半导体漂移区(3)中具有第一导电类型半导体体区(13)；所述第一导电类型半导体体区(13)上表面具有氧化层(12)；所述氧化层(12)中具有金属栅极(14)；所述第二导电类型半导体漂移区(3)中右侧具有第一导电类型半导体体区(18)；其特征在于：所述第一导电类型半导体体区(18)中具有第二导电类型半导体阴极区(6)，第二导电类型半导体阴极区(6)右侧从左至右依次设置第一个第二导电类型半导体掺杂区(7)、第一导电类型半导体掺杂区(8)、第二个第二导电类型半导体掺杂区(7)、第一导电类型半导体阴极区(9)；第二导电类型半导体阴极区(6)和第一个第二导电类型半导体掺杂区(7)之间设有间隙，第一个第二导电类型半导体掺杂区(7)、第一导电类型半导体掺杂区(8)、第二个第二导电类型半导体掺杂区(7)之间相邻设置，所述第二导电类型半导体阴极区(6)上表面具有第三金属电极(15)；所述第二导电类型半导体掺杂区(7)上表面具有第四金属电极(16)；所述第一导电类型半导体掺杂区(8)上表面具有第五金属电极(17)，所述第一导电类型半导体阴极区(9)上表面具有第一金属电极(10)。