[发明专利]紫外光C发光二极管有效
| 申请号： | 201910062467.1 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111326631B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡佳龙;刘学兴 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开一种紫外光C发光二极管，其包括N型半导体层、P型半导体层、有源层、第一电子阻挡层及第二电子阻挡层。有源层位于N型半导体层和P型半导体层之间，有源层发出的光谱的最大峰值的波长是落在230纳米至280纳米的范围内，且有源层中的镁的浓度小于10 |
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| 搜索关键词： | 紫外光 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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