[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201910063040.3 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110556288A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 郭国凭;潘昇良;洪嘉阳;谢志宏;孙书辉;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/42 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 灰化工艺与装置经由二次反应形成灰化气体的自由基。本申请披露一种半导体装置的形成方法，其包括：自第一气体产生第一等离子体；在一晶圆处理腔室中，使该第一等离子体扩散穿过第一气体分布板，以形成一第一低能量区；使该第一等离子体自该第一低能量区穿过第二气体分布板，以形成一基板处理区；以及供应第二气体至该基板处理区中，其中该第一等离子体能量化该第二气体，以形成该第二气体的自由基，其中该第二气体的自由基自一基板剥除一层状物。第一气体与第二气体反应，以能量化该第二气体。能量化的第二气体用于自基板灰化光刻胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 自由基 等离子体 气体分布板 低能量区 基板处理 量化 灰化 基板 穿过 等离子体扩散 半导体装置 处理腔室 二次反应 光刻胶层 灰化气体 气体产生 气体反应 等离子 层状物 剥除 晶圆 体能 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n自一第一气体产生一第一等离子体；/n在一晶圆处理腔室中，使该第一等离子体扩散穿过一第一气体分布板，以形成一第一低能量区；/n使该第一等离子体自该第一低能量区穿过一第二气体分布板，以形成一基板处理区；以及/n供应一第二气体至该基板处理区中，其中该第一等离子体能量化该第二气体，以形成该第二气体的自由基，其中该第二气体的自由基自一基板剥除一层状物。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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