[发明专利]压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法，压力传感器芯片主要包括密封玻璃盖、谐振器层、压力敏感膜层、应力隔离垫、压电激励元件和电阻拾振元件，采用压力敏感膜片和谐振器复合结构，为二次敏感模式，谐振器层包括谐振梁和扭转梁，相邻的两根谐振梁一端的延伸部连接至同一悬置扭转梁，另一端与质量块连接，质量块中部设置有耦合梁，谐振器通过连接点与锚点连接，应力隔离垫上设有导压孔，压力由导压孔传递到矩形压力敏感膜片引起其变形，该变形通过锚点放大，传递到谐振器层，谐振梁和耦合梁外表面上分别布置有压电激励元件和电阻拾振元件，压电激励元件和电阻拾振元件分别通过导线与外部电路连接。

主权项

1.压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，该传感器芯片包括压力敏感膜层(3)和设置在压力敏感膜层(3)上的谐振器层(2)，压力敏感膜层(3)包括压力敏感膜(302)和设置在压力敏感膜(302)上的锚点(303)；谐振器层(2)包括两组相对平行设置的谐振梁，谐振梁(201)上布置有压电薄膜(208)，同一组谐振梁(201)的一端连接至同一悬置扭转梁(202)，另一端与质量块(207)连接，两组谐振梁相对设置，四根谐振梁(201)共同组成H型梁，质量块(207)中部设置有耦合梁(206)，耦合梁(206)中部设置有拾振电阻(209)，连接点(204)通过柔性梁(205)与谐振梁(201)的外部框架(212)连接，连接点(204)与锚点(303)固定连接。