[发明专利]一种用于二氧化氮传感器的气敏材料及其制备方法有效
申请号: | 201910064782.8 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN109655499B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 曾文文;梅军;何周坤;詹浩然 | 申请(专利权)人: | 中物院成都科学技术发展中心 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 陈明龙 |
地址: | 610200 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于二氧化氮传感器的气敏材料,由二氧化锡和四氧化三锡两相复合而成,具备二氧化锡‑四氧化三锡纳米复合结构,微观上为由二氧化锡与四氧化三锡的零维颗粒组装而成的三维分级结构。本发明提供的用于二氧化氮传感器的气敏材料,对二氧化氮具备很高的灵敏度,较低的二氧化氮检测限,二氧化氮具有较快的响应和恢复速度,对二氧化氮气体具有非常好的选择性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 二氧化氮 传感器 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于二氧化氮传感器的气敏材料,其特征在于,所述气敏材料由二氧化锡和四氧化三锡两相复合而成,具备二氧化锡‑四氧化三锡纳米复合结构,微观上为由二氧化锡与四氧化三锡的零维颗粒组装而成的三维分级结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中物院成都科学技术发展中心,未经中物院成都科学技术发展中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910064782.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。