[发明专利]发光二极管芯片缺陷检测的方法和装置有效
| 申请号： | 201910065080.1 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109919908B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;郭炳磊;王群;王赫;许展境;徐希 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06K9/62;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片缺陷检测的方法和装置，属于半导体技术领域。所述方法包括：获取待检测芯片的图像；将待检测芯片的图像划分为外延部分的图像和电极部分的图像；从外延部分的图像中截取外延缺陷部分的图像，并将外延缺陷部分的图像输入第一卷积神经网络，得到外延缺陷部分的缺陷类型，第一卷积神经网络的参数通过采用多个标定有缺陷类型的外延缺陷图像进行训练得到；从电极部分的图像中截取电极缺陷部分的图像，并将电极缺陷部分的图像输入第二卷积神经网络，得到电极缺陷部分的缺陷类型，第二卷积神经网络的参数通过采用多个标定有缺陷类型的电极缺陷图像进行训练得到。本发明特别满足工业生产的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 缺陷 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法包括：获取待检测芯片的图像；采用边缘检测模型处理所述待检测芯片的图像，将所述待检测芯片的图像划分为外延部分的图像和电极部分的图像；将所述外延部分的图像与无缺陷外延片的图像进行比较，从所述外延部分的图像中截取外延缺陷部分的图像，并将所述外延缺陷部分的图像输入第一卷积神经网络，得到所述外延缺陷部分的缺陷类型，所述第一卷积神经网络的参数通过采用多个标定有缺陷类型的外延缺陷图像进行训练得到；将所述电极部分的图像与无缺陷电极的图像进行比较，从所述电极部分的图像中截取电极缺陷部分的图像，并将所述电极缺陷部分的图像输入第二卷积神经网络，得到所述电极缺陷部分的缺陷类型，所述第二卷积神经网络的参数通过采用多个标定有缺陷类型的电极缺陷图像进行训练得到。
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