[发明专利]成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910066321.4 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110459486A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 崔玄浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/455;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11330 北京市立方律师事务所 | 代理人： | 李娜<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种成膜装置、一种成膜方法和一种制造半导体器件的方法。所述成膜装置包括：内管，所述内管被配置为容纳工件并具有由所述内管的侧壁和所述内管的连接到所述侧壁的上壁限定的第一空间；流体连接到所述第一空间的排气管；限定在所述内管的所述上壁中的至少一个顶孔；限定在所述内管的所述侧壁中的至少一个侧孔；围绕所述内管的外管；以及反应气体供应管，所述反应气体供应管流体连接到由所述内管和所述外管限定并形成在所述内管与所述外管之间的第二空间，其中，所述反应气体供应管定位为在竖直方向上高于所述排气管。 | ||
| 搜索关键词： | 内管 反应气体供应 侧壁 外管 成膜装置 第一空间 流体连接 排气管 上壁 半导体器件 第二空间 侧孔 成膜 顶孔 竖直 容纳 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种成膜装置，所述成膜装置包括：/n内管，所述内管被配置为容纳工件并具有由所述内管的侧壁和所述内管的连接到所述侧壁的上壁限定的第一空间；/n流体连接到所述第一空间的排气管；/n限定在所述内管的所述上壁中的至少一个顶孔；/n限定在所述内管的所述侧壁中的至少一个侧孔；/n围绕所述内管的外管；以及/n反应气体供应管，所述反应气体供应管流体连接到由所述内管和所述外管限定并形成在所述内管与所述外管之间的第二空间，/n其中，所述反应气体供应管定位为在竖直方向上高于所述排气管。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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