[发明专利]一种提高TCO薄膜综合光电特性的激光加工方法

摘要

本发明属于透明导电氧化物薄膜领域，涉及一种提高TCO薄膜综合光电特性的激光加工方法；步骤为：将需要掺杂金属或合金薄膜作为源薄膜固定于透明基底上，作为转移基片；同时将TCO薄膜固定于透明玻璃基底上，作为接收基片；转移基片置于接收基片上方0~350μm，且薄膜面相对而放，保证转移基片能够完全覆盖住接收基片；皮秒激光束通过转移基板作用在源薄膜上，将源薄膜加热至熔融或者等离子体状态，从基板上脱离并转移到接收基片上，在TCO膜表面沉积金属粒子；本发明有效的避免了直接在TCO薄膜上进行直接的激光加工操作从而造成的形貌破坏，并且工序简单，可控性高，易于实施，同样适用于微纳加工领域。

主权项

1.一种提高TCO薄膜综合光电特性的激光加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将金属或合金薄膜作为源薄膜（1）固定于转移基底（2）上，源薄膜（1）与转移基底（2）一起作为转移基片（5）；步骤二，选择TCO薄膜（3）固定于接收基底（4）上，经清洗、烘干后得到TCO玻璃，作为接收基片（6）；步骤三，将步骤二制备的接收基片（6）放置于平台上，然后将步骤一得到的转移基片（5）平行放置于接收基片（6）上方，两者之间保持一定的距离，且两者的薄膜面相对放置；步骤四，根据步骤三中接收基片（6）的面积，绘制相对应的激光扫描图案，并使得图案整体面积大于接收基片（6）的面积；然后，调整皮秒激光器下平台的位置以及焦距，使得转移基片（5）上的源薄膜（1）位于激光焦后；再将已绘制完成的激光扫描图案导入激光器并设置激光器扫描参数；按照设定的图案进行激光扫描加工；具体加工过程为：采取脉冲宽度10ps的皮秒激光，穿过透明转移基片（5）照射作用在源薄膜（1）上，源薄膜（1）吸收能量加热至熔融状态或者等离子体状态从转移基片（5）上脱离，在接收基片（6）上的TCO薄膜（3）上进行沉积，从而使目标金属掺杂到目标透明导电薄膜表面上。