[发明专利]集成肖特基二极管的沟槽MOSFET的制备方法

摘要

本发明公开了集成肖特基二极管的沟槽MOSFET的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤一：沟槽构造，步骤二：导电区制备，步骤三：导电沟道设置，步骤四：肖特基结构激活，步骤五：导电引线制备。本发明提出了集成了肖特基二极管功能的功率MOSFET器件的构成实施例，虽然MOSFET结构中集成了肖特基二极管，但是通过优化结构设计和版图设计，降低了实际生产中的制造难度，提高了器件的良率水平，降低了成本，提升了器件性能。

主权项

1.集成肖特基二极管的沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤一：沟槽构造：在沟道器件中利用第一层掩膜版，在外延上制备若干沟槽，沟槽位于有源区中，在若干沟槽中间是MOSFET结构台面和肖特基二极管台面。步骤二：导电区制备：将步骤一中的限定台面结构的沟槽中制备MOSFET的导电区域和肖特基二极管的导电区域，利用第二层掩膜版，在限定的台面结构中选择性的制备P型导电区，利用第三层掩膜版，在限定的台面结构中选择性的制备N型导电区；步骤三：导电沟道设置：在限定区域形成导电沟道接触电极区；步骤四：肖特基结构激活：利用第四层掩膜版，在MOSFET导电区域和肖特基导电区形成导电接触电极孔，然后淀积肖特基二极管导电金属钛和氮化钛，并进行激活，形成肖特基结构；步骤五：导电引线制备：淀积金属铝层，并利用第五层掩膜版选择性刻蚀金属铝，形成导电引线。