[发明专利]非对称峰值掺杂的二硫化钼隧穿场效应管在审
| 申请号： | 201910068192.2 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110010681A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王伟;吴警;魏凤华;丰媛媛 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/26;H01L29/10;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210046 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非对称峰值掺杂的二硫化钼隧穿场效应管，包括半导体衬底、本征二硫化钼纳米条带、源极、漏极以及两个栅极，在半导体衬底上从临近源极一端向临近漏极一端依次为P型重掺杂区、非对称峰值掺杂区、本征二硫化钼纳米条带和N型重掺杂区，通过施加电场使源区和漏区之间形成导电沟道，两个栅极分别位于沟道的两侧，用于控制沟道中的电流，在沟道和栅极之间还设有栅氧化层。本发明具有较大的开关电流比、较低的漏电流、较小的次阈值摆动、较高的截止频率和较小的延迟时间，因此具有更优秀的栅极控制能力和开关特性，能有效抑制短沟道效应和热载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 非对称 沟道 场效应管 掺杂的 本征 衬底 漏极 隧穿 条带 源极 半导体 热载流子效应 栅极控制能力 短沟道效应 开关电流比 电场 导电沟道 截止频率 开关特性 有效抑制 栅氧化层 掺杂区 漏电流 摆动 漏区 源区 延迟 施加 | ||
【主权项】：
1.一种非对称峰值掺杂的二硫化钼隧穿场效应管，其特征在于，包括半导体衬底、本征二硫化钼纳米条带(1)、源极(S)、漏极(D)以及两个栅极(G)，在半导体衬底上从临近源极(S)一端向临近漏极(D)一端依次为P型重掺杂区(2)、非对称峰值掺杂区(3)、本征二硫化钼纳米条带(1)和N型重掺杂区(4)，通过施加电场使源区(S)和漏区(D)之间形成导电沟道，两个栅极(G)分别位于沟道的两侧，用于控制沟道中的电流，在沟道和栅极(G)之间还设有栅氧化层。
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