[发明专利]一种适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴加工工艺有效
| 申请号： | 201910068779.3 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109899261B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王玉容;孙雷蒙;涂良成;宋培义;匡双阳;肖东阳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴加工工艺，其中适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴结构，主体是由喷嘴微管道组成的发射体阵列，并且在微管道的内壁和外表面分别均匀沉积有一维纳米材料。本发明主要采用半导体微纳加工技术，通过对SOI硅片进行刻蚀得到理想的发射体喷嘴结构，以此为衬底，在该衬底外表面和内管壁均引入适当形貌和性能的一维纳米材料进行均匀包覆，实现表面修饰和功能化的目的，使喷嘴管口表面的发射点阵列增多的同时，增加内管壁的液压阻力，以降低流速，使发射体工作在离子体系，以便在不产生液滴的情况下，最大程度上利用推进剂产生的电流，从而提升推进器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 微牛级场发 射电 推进 系统 喷嘴 加工 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴结构，主体是由喷嘴微管道组成的发射体阵列，其特征在于，在所述微管道的内壁上均匀沉积有一维纳米材料，所述发射体阵列的外表面上也沉积有一维纳米材料。
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