[发明专利]一种刻蚀方向可控的硅纳米孔结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910068915.9 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109809360A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 冷夕杜;袁志山;王成勇;凌新生 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种刻蚀方向可控的硅纳米孔结构及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：S1：将AAO薄膜转移到硅基板的上表面；S2：在AAO薄膜上沉积一层金属；S3：去掉AAO薄膜，在硅基板表面得到分布均匀的金属颗粒阵列；S4：将硅基板固定在可旋转的夹具上，调节夹具的样品台的方位，利用刻蚀液体进行刻蚀，即得所述刻蚀方向可控的硅纳米孔结构。本发明通过调节夹具中样品台的方位，改变金属纳米颗粒和纳米孔的接触位置，控制金属纳米颗粒刻蚀得到方向多变的硅纳米孔结构，打破传统化学刻蚀硅纳米孔只能单方向刻蚀的刻蚀行为，极大程度上满足个性化需求，工艺简单，制造成本低，在微纳生物、医药、光学、传感等领域有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 硅纳米 刻蚀 孔结构 夹具 刻蚀方向 可控的 制备 金属纳米颗粒 硅基板 样品台 薄膜 个性化需求 硅基板表面 薄膜转移 传统化学 接触位置 金属颗粒 可旋转的 刻蚀液体 制造成本 纳米孔 上表面 沉积 传感 金属 应用 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方向可控的硅纳米孔结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将AAO薄膜转移到硅基板的上表面；S2：在AAO薄膜上沉积一层金属；S3：去掉AAO薄膜，在硅基板表面得到分布均匀的金属颗粒阵列；S4：将硅基板固定在可旋转的夹具上，调节夹具的样品台的方位，利用刻蚀液体进行刻蚀，即得所述种刻蚀方向可控的硅纳米孔结构。
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