[发明专利]GaN基发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201910069065.4 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109904066B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;乔楠;王群;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上顺次沉积缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、缺陷阻挡层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层，所述P型GaN层包括第一GaN子层和第二GaN子层，所述第一GaN子层位于所述电子阻挡层与所述第二GaN子层之间，在沉积所述第一GaN子层时，采用N |
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| 搜索关键词： | gan 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上顺次沉积缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、缺陷阻挡层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层，所述P型GaN层包括第一GaN子层和第二GaN子层，所述第一GaN子层位于所述电子阻挡层与所述第二GaN子层之间，在沉积所述第一GaN子层时，采用N2和H2的混合气体作为载气，在沉积所述第二GaN子层时，采用N2作为载气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
