[发明专利]具有离子导电残余玻璃相的玻璃陶瓷及其生产方法有效
申请号: | 201910069210.9 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN110128017B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | M·施耐德;A·罗特斯;J·舒马赫;R·萨姆辛格 | 申请(专利权)人: | 肖特股份有限公司 |
主分类号: | C03C10/02 | 分类号: | C03C10/02;C03B32/02;H01M10/0562;H01M4/62 |
代理公司: | 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 | 代理人: | 赵飞;彭臻臻 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及一种包括残余玻璃相的锂离子导电玻璃陶瓷及其生产方法以及其在电池中的用途,所述残余玻璃相同样是离子导电的。根据本发明的玻璃陶瓷包括与NaSICon晶相同构的主晶相,其中可以用下式描述其组成: |
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搜索关键词: | 具有 离子 导电 残余 玻璃 陶瓷 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
1.一种锂离子导电玻璃陶瓷,其中,所述玻璃陶瓷包括具有化学组成
的晶相,其中:M3+表示一种或多种元素的三价阳离子,M4+表示一种或多种元素的四价阳离子,M5+表示一种或多种元素的五价阳离子,x大于0且至多为1,x大于y,以及y为0至1,其中(1+x‑y)大于1;其中,所述玻璃陶瓷至少包含Al3+作为三价离子且至少包含Ti4+作为四价离子;其中,所述玻璃陶瓷包括离子导电率高于10‑5S/cm的玻璃相;其中,所述玻璃相的组成包括Li2O、P2O5和B2O3,且B2O3的含量为0.2mol%至4mol%,并且其中,Al2O3/TiO2的比值在0.05与0.1之间,以及其中,Al2O3/Li2O的比值在>0与0.25之间。
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