[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。通过在制作栅极的过程中，先去除电极材料的一部分，使电极槽内保留的电极材料与第一隔离层之间形成隔离沟槽，同时隔离沟槽内可以再制作第二隔离层。如此，第一隔离层和第二隔离层的厚度之和会明显大于第一氧化层的厚度，从而使得第一电极和场板之间的隔离层的总体质量得到提高，使得半导体器件的栅源最大电压的极限值更高，同时可以解决器件的IGSS/HTGB失效问题，可以提高电极间的坚固性，提高器件的可靠性，器件的制作流程简单，隔离层的厚度可控，制作成本较低。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括第一半导体层和位于所述第一半导体层一侧的第二半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型，所述第二半导体层具有第二导电类型，所述第一导电类型与第二导电类型相同或不同；在所述第二半导体层中形成沟槽；在所述沟槽内形成场氧化层和场板，所述场氧化层覆盖所述沟槽的底部以及侧壁的一部分，所述场板和所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的部分之间形成空隙；在所述空隙的侧壁、所述场板远离所述第一半导体层的表面以及所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面制作介质材料，以在所述场板和所述第二半导体层之间形成用于沉积电极材料的电极槽；在所述电极槽内沉积电极材料制作第一电极，形成所述电极槽的场板表面制作的介质材料形成第一隔离层，形成所述电极槽的第二半导体层表面制作的介质材料形成第一氧化层；去除靠近所述第一隔离层的部分电极材料，以使所述电极槽内保留的电极材料与所述第一隔离层之间形成隔离沟槽，所述隔离沟槽用于制作第二隔离层；在所述隔离沟槽内制作形成所述第二隔离层；在所述基底中制作第一导电类型区和第二导电类型区；在所述基底一侧制作覆盖所述第一电极的介质层；及在所述基底两侧制作第二电极和第三电极。