[发明专利]一种与温度无关的低功耗基准电流源有效

专利信息
申请号: 201910069815.8 申请日: 2019-01-24
公开(公告)号: CN109828630B 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 蔡超波;古天龙;宋树祥;岑明灿;李叶;杨小燕;胡文灿 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 代理人: 李春霞
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种与温度无关的低功耗基准电流源,包括负温度系数电流产生电路、正温度系数电流产生电路、启动电路和基准电流输出电路。负温度系数电流产生电路用于产生一个负温度系数电流,正温度系数电流产生电路用于产生一个正温度系数电流;启动电路用于避免零电流(简并)状态;基准电流输出电路将正温度系数电流与负温度系数电流相加产生一个与温度无关的基准电流。该电路具有结构简单、功耗低、面积小、工作电压范围宽的特点。
搜索关键词: 一种 温度 无关 功耗 基准 电流
【主权项】:
1.一种与温度无关的低功耗基准电流源,包括启动电路、负温度系数电流产生电路和正温度系数电流产生电路,其特征在于:所述负温度系数电流产生电路包括NMOS管M1、M2和PMOS管M3、M4,以及电阻R1;其中:M1的栅极连接到节点Y;M2的栅极连接到节点X;M1、M2的源极相互连接后通过电阻R1接地GND;M1、M3的漏极与M3、M4的栅极相互连接构成第一偏置电压端子VB1;M2、M4的漏极相互连接构成第二偏置电压端子VB2;M3、M4的源极都接到电源VDD;所述正温度系数电流产生电路包括PMOS管M5、M6和PNP型三极管Q1、Q2,以及电阻R2;其中:Q1、Q2的基极以及Q1、Q2的集电极都接地GND;Q1的发射极与M5的漏极都连接到节点X,Q2的发射极通过电阻R2连接到节点Y;M5、M6的栅极都连接到第二偏置电压端子VB2;M5、M6的源极都连接到电源VDD;所述启动电路包括PMOS管M7、M8、M9、M10、M11和NMOS管M12,以及电容C1;其中:M7的栅极连接到第二偏置电压端子VB2;M7、M8的源极都接到电源VDD;M7的漏极以及电容C1第一端子与M8、M9、M10、M11的栅极相互连接;电容C1第二端子及M12的源极接地GND;M12的栅极连接到节点Y;M12的漏极与M9的漏极、M10的源极相互连接;M8的漏极连接M9的源极;M10的漏极连接M11的源极;M11的漏极连接到节点X。
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