[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910070123.5 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110085671B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 木村圭佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲;黄隶凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具有半导体基板、沟槽、栅极绝缘膜和栅极。半导体基板具有与栅极绝缘膜接触的n型发射极区、在发射极区的下侧与栅极绝缘膜接触的p型的上部体区、在上部体区的下侧与栅极绝缘膜接触的n型的中间区域、在中间区域的下侧与栅极绝缘膜接触的p型的下部体区、在下部体区的下侧与栅极绝缘膜接触的n型的漂移区、以及从下侧与漂移区接触的p型的集电极区。下部体区具有第1范围、以及晶体缺陷密度高于第1范围的第2范围。第2范围与栅极绝缘膜接触。第1范围在与栅极绝缘膜相对的一侧与第2范围接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有：半导体基板；沟槽，其设置在所述半导体基板的上表面；栅极绝缘膜，其覆盖所述沟槽的内表面；以及栅极，其配置在所述沟槽内，并通过所述栅极绝缘膜相对于所述半导体基板绝缘，所述半导体基板具有：n型的发射极区，其从所述上表面露出且与所述栅极绝缘膜接触；p型的上部体区，其在所述发射极区的下侧与所述栅极绝缘膜接触；n型的中间区域，其在所述上部体区的下侧与所述栅极绝缘膜接触；p型的下部体区，其在所述中间区域的下侧与所述栅极绝缘膜接触；n型的漂移区，其在所述下部体区的下侧与所述栅极绝缘膜接触；以及p型的集电极区，其从下侧与所述漂移区接触，所述下部体区具有第1范围、以及晶体缺陷密度高于所述第1范围的第2范围，所述第2范围与所述栅极绝缘膜接触，所述第1范围在所述栅极绝缘膜的相对侧与所述第2范围接触。
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