[发明专利]一种单、多晶硅料的筛选检测方法

摘要

本发明涉及一种单、多晶硅料的筛选检测方法。该方法包括下列步骤：步骤一：原生多晶硅来料核对，步骤二：人工粗检原料，步骤三：原料细检，步骤四：原料电阻率细检，步骤五：原料杂质精检，步骤六：原料碳氧浓度检测，步骤七：原料少子寿命检测，步骤八：原料基本金属杂质含量检测，步骤九：打包入库，根据上述记录数据。该方法科学严谨，逻辑性强，检测全面，能够筛选出高质量的硅料。

主权项

1.一种单、多晶硅料的筛选检测方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤一：原生多晶硅来料核对，操作人员核对原料外包装上的生产厂家、批号、规格、数量，查看包装是否完好，有无变形，聚乙烯包装袋有无破损，原料有无外来污染，如果原料不合格，直接退回，反之进入步骤二；步骤二：人工粗检原料，操作人员逐一拆开原料外包装，查看原料的结构以及表面，确保表面色泽正常、无毛刺、无氧化夹芯、无熔芯现象，碳头料无石墨残留、无金属以及无磁性物质，块状多晶硅线性尺寸为6mm‑100mm，块状多晶硅的尺寸分布范围为：(a)线性尺寸为6mm‑25mm的块状多晶硅有0‑15重量份，(b)线性尺寸为25mm‑50mm的块状多晶硅有15‑35重量份，(c)线性尺寸为50mm‑100mm的块状多晶硅有65‑100重量份；步骤三：原料细检，操作人员使用红外线探伤仪一一检测步骤二中的原料，查看原料内部是否有裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶，将各原料在红外探伤仪上扫描的结果记录在册，分开储存，留以待用；步骤四：原料电阻率细检，将步骤三中的原料依次放在电阻类型测量仪上，使用电阻类型测量仪对各原料边缘4mm处进行测量，根据电阻类型测量仪的数据，统计出P型原料或N型原料并记录在册，分开储存，留以待用，N型原料基磷电阻率p为30Ω.cm‑50Ω.cm，P型原料基磷电阻率p≥50Ω.cm；步骤五：原料杂质精检，将步骤四中的原料依次使用化学气相沉积法检验体杂质含量施主数据以及体杂质含量受主数据，根据检测的数据，统计出合格的原料并记录在册，分开储存，留以待用，体杂质含量施主中的P,As以及Sb均＜7.74ppba、体杂质含量受主中的B和Al均＜2.7ppba；步骤六：原料碳氧浓度检测，使用单、多晶硅氧碳含量测试仪依次测量步骤五中各原料的氧浓度和碳浓度，确保氧浓度≤1.0*10¹⁷/cm³，碳浓度≤5.0*10¹⁶/cm³，根据单、多晶硅氧碳含量测试仪的数据，统计出各原料的碳氧浓度并记录在册，分开储存，留以待用；步骤七：原料少子寿命检测，使用少子寿命检测仪依次检测步骤六中原料的少数载流子寿命，少数载流子寿命≥10us，根据检测的数据，统计出合格的原料并记录在册，分开储存，留以待用；步骤八：原料基本金属杂质含量检测，使用硅料基体金属杂质含量测试仪依次检测步骤七中原料的基本金属杂质含量，基本金属杂质包括Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na，TMI＜0.5ppmw，依次记录各原料的数据，分开储存，留以待用；步骤九：打包入库，根据上述记录数据，将合格硅料依次归类装箱，箱体内铺设泡沫垫或纸箱进行缓冲保护，箱体外使用PE膜进行缠绕紧固。