[发明专利]一种半导体基片刻蚀后氮化物的去除方法在审
| 申请号： | 201910071391.9 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111489954A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 杨圣合 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体基片刻蚀后氮化物的去除方法，所述方法包括以下步骤：(1)在二氟甲烷、氮气和氧气混合气体的氛围下将氢氟酸、二氧化碳和去离子水混合溶液均匀覆盖在半导体基片表面，在半导体基片表面形成一层均匀的液体薄膜；(2)在压力600‑900mTorr下，保持所述混合气体持续不断的流过所述覆盖有混合溶液的半导体基片，进行反应，反应的温度为50‑70℃，其中，所述二氟甲烷、氮气和氧气占所述混合气体的体积比分别为60‑90％、5‑30％和5‑10％，所述混合气体的流量为500‑800SCCM。本发明对半导体基片刻蚀后氮化物具有很好的去除效果，同时能够保证半导体基片的完整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 氮化物 去除 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
