[发明专利]一种石墨烯透明电极及其功函数调控方法在审
| 申请号： | 201910071604.8 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109817828A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 邵丽;王仲勋;史浩飞;李华峰 | 申请（专利权）人： | 重庆石墨烯研究院有限公司;重庆墨希科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 401329 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯透明电极及其功函数调控方法，属于材料技术领域。该方法包括如下步骤：预处理透明基材；在透明基材上镀一层超薄铜层；通过CVD法在超薄铜层表面生长石墨烯层；利用离子溅射法在石墨烯层上形成金属薄膜层；最后沉积减反增透层。本发明利用超薄铜箔直接生长石墨烯，省去了石墨烯的转移步骤；在此基础上，选择调控金属薄膜层的功函数小于或大于石墨烯的功函数，配合减反增透层，实现了在保证透过率的前提下，解决石墨烯透明电极的功函数和表面电阻两大关键问题。该石墨烯透明电极的稳定性好，可广泛应用于电致发光器件、太阳能电池、光电探测器等电子信息领域。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 功函数 透明电极 金属薄膜层 石墨烯层 透明基材 增透层 调控 材料技术领域 电致发光器件 电子信息领域 预处理 光电探测器 太阳能电池 表面电阻 超薄铜箔 关键问题 离子溅射 铜层表面 直接生长 透过率 沉积 铜层 生长 配合 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯透明电极，其特征在于：包括依次连接的透明基材、超薄铜层、石墨烯层、金属薄膜层；所述透明基材上镀有超薄铜层；所述超薄铜层表面形成石墨烯层；所述石墨烯层表面沉积有金属薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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