[发明专利]雪崩光电二极管阵列探测器在审
申请号: | 201910072343.1 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN109727970A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 韩德俊;刘健 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L27/144 |
代理公司: | 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 | 代理人: | 宋教花 |
地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种雪崩光电二极管阵列探测器,包括:传感器芯片,其包括至少一个雪崩光电二极管和与所述至少一个雪崩光电二极管串联的至少一个淬灭电阻,所述至少一个雪崩光电二极管形成在硅基底上;信号读出芯片,其包括至少一个信号数字读出电路;其中,所述传感器芯片和所述信号读出芯片通过倒装方式集成在一起,以使得所述传感器芯片的雪崩光电二极管和对应的淬灭电阻与所述信号读出芯片的信号数字读出电路电气连接,以通过信号数字读出电路读出从淬灭电阻取样的电信号。通过上述方案能够提高探测器的填充因子并降低制作成本。 | ||
搜索关键词: | 雪崩光电二极管 读出 传感器芯片 读出电路 信号数字 探测器 淬灭 电阻 雪崩光电二极管阵列 芯片 电气连接 方式集成 填充因子 倒装 硅基 取样 串联 制作 | ||
【主权项】:
1.一种雪崩光电二极管阵列探测器,其特征在于,包括:传感器芯片,其包括至少一个雪崩光电二极管和与所述至少一个雪崩光电二极管串联的至少一个淬灭电阻,所述至少一个雪崩光电二极管形成在硅基底上;信号读出芯片,其包括至少一个信号数字读出电路;其中,所述传感器芯片和所述信号读出芯片通过倒装方式集成在一起,以使得所述传感器芯片的雪崩光电二极管和对应的淬灭电阻与所述信号读出芯片的信号数字读出电路电气连接,以通过信号数字读出电路读出从淬灭电阻取样的电信号。
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