[发明专利]高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构

摘要

本发明涉及传感器芯片封装结构，具体涉及一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构；包括一层为一面可接地钎焊的低温共烧陶瓷片，不可钎焊面采用阳极键合技术，实现熟瓷片与敏感结构背面键合，敏感结构正面也采用阳极键合与三层熟瓷片键合，第一层为一片和传感器框架面积一样的低温共烧陶瓷框架，同时通过激光打孔、浆料填孔实现敏感结构的PAD点与第二层电路相连；第二层通过浆料印刷，实现电路转接功能，将信号传输至熟瓷片第三层，即封装结构顶层；封装结构顶层印刷上可钎焊浆料，由此可以通过钎焊将熟瓷片与输出电线相连；本发明使封装结构面积最小化，实现了加速度传感器无引线封装，极大的提高了传感器的可靠性。

主权项

1.一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构，其特征在于，包括底层熟瓷片（5）、敏感结构（4）、第三层熟瓷片（1）、第二层熟瓷片（2）、第一层熟瓷片（3），所述底层熟瓷片（5）底面刷有钎焊浆料（9），底层熟瓷片（5）顶面采用阳极键合技术与敏感结构（4）的背面键合；所述敏感结构（4）的正面也通过阳极键合技术与三层熟瓷片键合，所述三层熟瓷片分别为自下而上排列的第一层熟瓷片（3）、第二层熟瓷片（2）和第三层熟瓷片（1）、其中第一层熟瓷片（3）与敏感结构（4）接触；所述敏感结构（4）包括敏感结构框架（11）和位于敏感结构框架（11）中心处的质量块（13）；所述第一层熟瓷片（3）为与敏感结构框架（11）大小一致的框架结构且开设有与敏感结构（4）的PAD点大小、位置一致的通孔（10），同时第一层熟瓷片（3）和敏感结构（4）的接触面刻有与敏感结构（4）表面溅射的导线相同大小的导线凹槽（12），所述第二层熟瓷片（2）与第一层熟瓷片（3）相对应的位置处也开设有通孔（10）且不与第一层熟瓷片（3）相接触的一面印刷有转接电路（8），所述第三层熟瓷片（1）在第二层熟瓷片（2）转接电路（8）结束处相应位置开有第二通孔（6），所述第三层熟瓷片（1）不与第二层熟瓷片（2）接触的一面印刷有钎焊浆料形成与电线焊接的焊盘（7），第一层熟瓷片（3）、第二层熟瓷片（2）的通孔（10）和第三层熟瓷片（1）第二通孔（6）间采用浆料填孔实现敏感结构（4）与转接电路（8）的电路连接。