[发明专利]基于微波等离子体化学气相沉积的石墨烯制备方法有效
| 申请号： | 201910072641.0 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109852944B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 郁万成;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/511;C23C16/513;C23C16/517;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯制备方法，包括：对SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成原子台阶状表面；将氢刻蚀后的SiC衬底置于反应室中，通入惰性气体，在SiC衬底硅面上制备碳原子缓冲层；将形成有碳原子缓冲层的SiC衬底置于微波等离子体化学气相沉积炉腔中，通入含碳气体，以氢气作为载气，激发等离子体在碳原子缓冲层上生长石墨烯。该方法制备的石墨烯不需转移等后续处理即可直接做成器件，利于器件制备；等离子体的应用，降低反应温度及高温导致的热应力，使得石墨烯的制备更可控，有利于石墨烯器件应用，且有效缩短反应时间，加快反应速率；利用碳原子缓冲层作为中间层，避免热解法中缓冲层降低石墨烯迁移率的缺点，优化石墨烯质量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微波 等离子体 化学 沉积 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯制备方法，其特征在于，包括：S1，对SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成原子台阶状表面；S2，将氢刻蚀后的SiC衬底置于反应室中，通入惰性气体，在SiC衬底硅面上制备碳原子缓冲层；S3，将形成有碳原子缓冲层的SiC衬底置于微波等离子体化学气相沉积炉腔中，通入含碳气体，通入氢气作为载气，激发等离子体在所述碳原子缓冲层上生长石墨烯。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
