[发明专利]热处理装置及热处理方法有效
| 申请号： | 201910073446.X | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110211896B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 青山敬幸;上田晃颂;大森麻央;天児和则 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种即使在中断氧浓度的测定时，也能够维持低氧浓度区域中的测定精度的热处理装置及热处理方法。在将腔室(6)内的压力设为大气压，且将腔室(6)内设为惰性气体的气氛时，腔室(6)内的气氛经过取样管线(92)被吸引至氧浓度计(91)，由氧浓度计(91)测定腔室(6)内的氧浓度。如果腔室(6)内减压至小于大气压，那么中断腔室(6)内的氧浓度的测定，与此同时，从惰性气体供给管线(94)对氧浓度计(91)供给氮气。在中断腔室(6)内的氧浓度的测定时，也能够防止从气体排气管(88)向氧浓度计(91)的逆流，从而能够防止氧浓度计(91)暴露在来自腔室(6)的排气中而维持氧浓度计(91)的低氧浓度区域中的测定精度。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热处理装置，其特征在于通过对衬底进行光照射来将该衬底加热，且具备：腔室，收容衬底；灯，对收容在所述腔室中的所述衬底进行光照射；氧浓度计，吸引所述腔室内的气氛而测定所述腔室内的氧浓度；取样管线，将所述腔室与所述氧浓度计连通连接，将所述腔室内的气氛引导至所述氧浓度计；惰性气体供给管线，对所述氧浓度计供给惰性气体；以及排气管线，将所述腔室内的气氛排气；所述氧浓度计将从所述腔室吸引且用于测定氧浓度的气体排出至所述排气管线，且当将所述取样管线关闭而中断所述腔室内的氧浓度的测定时，从所述惰性气体供给管线对所述氧浓度计供给惰性气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910073446.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
