[发明专利]一种利用局部应力制备二维柔性发光阵列的方法有效
| 申请号： | 201910074028.2 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109817770B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;张伟 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26;H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用局部应力制备二维柔性发光阵列的方法，包括以下步骤：(1)采用柔性材料作为衬底；(2)在衬底上沉积一层金属材料；(3)对步骤(2)中沉积金属材料后的衬底进行微波退火，使得金属材料在衬底上形成金属岛；(4)继续在步骤(3)形成的金属岛上转移一层二硒化钨层，即完成。与现有技术相比，本发明可以实现对于发光阵列中发光单元进行控制和选择，同时，器件可随意弯曲折叠，在弯折后器件的电学性能保持不变，满足在某些极限或特殊情况下的应用需求，更可满足便携式电子产品对小型化电源的技术需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 局部 应力 制备 二维 柔性 发光 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用局部应力制备二维柔性发光阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)：采用柔性材料作为衬底；(2)：在衬底上沉积一层金属材料；(3)：对步骤(2)中沉积金属材料后的衬底进行微波退火，使得金属材料在衬底上形成金属岛；(4)：继续在步骤(3)形成的金属岛上转移一层二硒化钨层，即完成。
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