[发明专利]晶圆减薄工艺有效
申请号: | 201910075042.4 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN109742017B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 王勇威;周立庆;夏楠君;黄鑫亮;亢喆 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶圆减薄工艺,涉及晶圆减薄的技术领域,包括以下程序:测量程序、数据处理程序和减薄程序,通过测量装置测量出晶圆的质量和厚度,数据处理装置根据晶圆的质量和厚度以及其他参数计算出晶圆减薄后的目标质量,同时计算出晶圆需要减薄掉的质量和需要腐蚀的时间,晶圆在化学腐蚀腔内按照计算出的腐蚀时间进行腐蚀,以实现对晶圆厚度的减薄,晶圆减薄的工艺分别包括多次腐蚀时间计算及其对应的多次腐蚀过程,直至减薄后的晶圆的质量与目标质量相符合,缓解了现有晶圆减薄精度控制方法浅显,难以保证较高减薄精度的技术问题,优化了晶圆的化学减薄工艺,使得晶圆减薄精度的控制工艺更加严谨、科学。 | ||
搜索关键词: | 晶圆减薄 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆减薄工艺,其特征在于,包括以下步骤:测量程序:移料机构将晶圆移动至测量装置中,以测量晶圆的质量和厚度;数据处理程序:数据处理装置根据晶圆的质量和厚度确定晶圆减薄后的目标质量,并计算出晶圆需要减薄的质量和需要腐蚀的时间;减薄程序:移料机构将测量装置中的晶圆移动至化学腐蚀装置,化学腐蚀装置按照晶圆需要腐蚀的时间进行腐蚀,以对晶圆的厚度进行减薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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