[发明专利]晶圆减薄工艺有效

专利信息
申请号: 201910075042.4 申请日: 2019-01-25
公开(公告)号: CN109742017B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 王勇威;周立庆;夏楠君;黄鑫亮;亢喆 申请(专利权)人: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/66
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 赵志远
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种晶圆减薄工艺,涉及晶圆减薄的技术领域,包括以下程序:测量程序、数据处理程序和减薄程序,通过测量装置测量出晶圆的质量和厚度,数据处理装置根据晶圆的质量和厚度以及其他参数计算出晶圆减薄后的目标质量,同时计算出晶圆需要减薄掉的质量和需要腐蚀的时间,晶圆在化学腐蚀腔内按照计算出的腐蚀时间进行腐蚀,以实现对晶圆厚度的减薄,晶圆减薄的工艺分别包括多次腐蚀时间计算及其对应的多次腐蚀过程,直至减薄后的晶圆的质量与目标质量相符合,缓解了现有晶圆减薄精度控制方法浅显,难以保证较高减薄精度的技术问题,优化了晶圆的化学减薄工艺,使得晶圆减薄精度的控制工艺更加严谨、科学。
搜索关键词: 晶圆减薄 工艺
【主权项】:
1.一种晶圆减薄工艺,其特征在于,包括以下步骤:测量程序:移料机构将晶圆移动至测量装置中,以测量晶圆的质量和厚度;数据处理程序:数据处理装置根据晶圆的质量和厚度确定晶圆减薄后的目标质量,并计算出晶圆需要减薄的质量和需要腐蚀的时间;减薄程序:移料机构将测量装置中的晶圆移动至化学腐蚀装置,化学腐蚀装置按照晶圆需要腐蚀的时间进行腐蚀,以对晶圆的厚度进行减薄。
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