[发明专利]一种g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201910076646.0 | 申请日： | 2019-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN109706505A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘世凯;周淑慧;董柯军;李云友;董浩永;樊志杰;闫长菲;冀小华;赵腾飞;单中霄;郭子杰 | 申请（专利权）人： | 河南工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C23C26/00;C23C28/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450001 河南省郑州市高新技*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种g‑C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列的制备方法，属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：通过金属钛或钛合金的电化学阳极氧化法首先制备纳米管阵列结构；然后在马弗炉中进行晶化处理，得到TiO2纳米管阵列；再将CsPbI3纳米粒子加入g‑C3N4悬浮液中，得到含CsPbI3和g‑C3N4的混合溶液；最后将TiO2纳米管阵列与混合溶液反应，制备得到g‑C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列。该改性处理方法在充分发挥纳米管有序阵列的优势的同时，实现了两种半导体材料的多元复合改性。制备得到的g‑C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列，比表面积大，对太阳光的响应吸收范围宽，可作为高性能的复合电极，为高性能光催化剂的设计提供支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 混合溶液 电化学阳极氧化法 纳米管阵列结构 半导体材料 纳米复合材料 多元复合 复合电极 改性处理 光催化剂 晶化处理 纳米粒子 金属钛 马弗炉 纳米管 太阳光 悬浮液 钛合金 改性 响应 支撑 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种g‑C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：S1：在含钛金属基体上，通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列；S2：对所制备的纳米管有序阵列进行晶化处理，得到TiO2纳米管阵列；S3：制备g‑C3N4悬浮液和CsPbI3纳米粒子，将CsPbI3纳米粒子加入g‑C3N4悬浮液中，得到混合溶液；S4：对所制备的TiO2纳米管阵列与混合溶液反应，制备得到g‑C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列。
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