[发明专利]一种单晶硅籽晶重复利用的方法、铸造单晶硅片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910076657.9 | 申请日： | 2019-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN111485287A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 尹翠哲;王小兵 | 申请（专利权）人： | 尹翠哲;王小兵 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B11/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 051230 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶硅籽晶重复利用的方法，用于制备铸造单晶硅片，包括以下步骤：(1)将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部；在籽晶层上方设置熔融硅料，熔融硅料继承单晶硅籽晶的晶向结构生长，制得铸造单晶硅锭；(2)将步骤（1）得到的铸造单晶硅锭进行开方得到小方锭，在每个小方锭的底部区域切割得到尾料籽晶；(3)将步骤(2)得到的尾料籽晶与其他尾料籽晶或者新单晶硅籽晶互相拼接铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得铸造单晶硅锭。(4)将步骤（3）所述铸造单晶硅锭依次经过切片和清洗得到所述铸造单晶硅片。本发明提供的方法使单晶硅籽晶能够完全或部分重复利用，大大降低了铸造单晶的籽晶成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 籽晶 重复 利用 方法 铸造 及其 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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