[发明专利]一种NAND Flash特性模型建立方法

摘要

本发明公开一种NAND Flash特性模型建立方法，通过对测试对象进行PE老化测试，从而建立Wrd与PE老化程度之间的对应关系，该对应关系就是本发明所述的NAND Flash特性模型，Wrd指某个读电压参数下对应的所有读电压的集合。通过该模型，可以更好的管理和使用NAND Flash，根据该模型不仅能够作为实际NAND flash使用时，读电压参考选取依据；还能够作为NAND flash内部block寿命达到极限的参考依据。

主权项

1.一种NAND Flash特性模型建立方法，其特征在于：建立Wrd与PE老化程度之间的对应关系，Wrd指某个读电压参数下对应的所有读电压的集合，本方法包括以下步骤：S01）、选取测试对象，设定阈值P、读电压参数个数N、读电压参数调节步长Vs，初始化P/E cycle 计数值 Cnt为0，初始化当前调节读电压参数的参数号n为1；S02）、对测试对象进行P/E 老化，记录P/E老化程度，即P/E cycle数；S03）、将读电压参数n的初始值Vi设置为可调范围内的最小值；S04）、使用Vi读取测试对象内的数据；S05）、将读出的数据与原始数据做对比，记录数据错误个数，如果该值小于或者等于P，则记录当前参数值Vi，否则舍弃不记录；S06）、Vi=Vi+Vs，判断Vi是否小于最大可调范围值，如果是，则跳转到步骤S04，否则n累加1，判断n是否大于参数总个数N，没有则跳转到步骤S03，否则执行步骤S07；S07）、输出当前P/E老化状态下，每个读电压参数记录的Vi，每个参数的Wrd即为相对应的所有Vi的集合；S08）、判断Wrd是否为空，如果为空则结束建模，否则跳转到步骤S02，测试另一P/E老化程度下的Wrd。