[发明专利]AlN模板及氮化镓基发光二极管外延片的制备方法

摘要

本发明公开了一种AlN模板及氮化镓基发光二极管外延片的制备方法，属于GaN基发光二极管领域。方法包括：提供衬底，并将衬底放置于物理气相沉积设备的工艺腔室中，工艺腔室内放置有Al靶材，衬底与Al靶材相对，工艺腔室中设有挡板，当挡板为打开状态时，挡板位于衬底与Al靶材之间；对衬底进行加热；打开挡板，向工艺腔室通入Ar；当工艺腔室的压力达到预处理压力且衬底的温度达到预处理温度时，连通Al靶材和脉冲电源，并在预处理时间内保持工艺腔室的压力为预处理压力不变和衬底的温度为预处理温度不变；向工艺腔室通入反应气体；当工艺腔室的压力达到第一沉积压力且衬底的温度达到沉积温度时，关闭挡板，并在沉积时间内保持衬底的温度为沉积温度不变。

主权项

1.一种AlN模板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，并将所述衬底放置于物理气相沉积设备的工艺腔室中，所述工艺腔室内放置有Al靶材，所述衬底与所述Al靶材相对，所述工艺腔室中还设有挡板，当所述挡板为打开状态时，所述挡板位于所述衬底与所述Al靶材之间以对所述衬底进行遮挡；对所述衬底进行加热；打开所述挡板，向所述工艺腔室通入Ar；当所述工艺腔室的压力达到预处理压力且所述衬底的温度达到预处理温度时，连通所述Al靶材和脉冲电源，并在预处理时间内保持所述工艺腔室的压力为预处理压力不变和所述衬底的温度为所述预处理温度不变，所述预处理时间为2～15S；在所述预处理时间后，继续对所述衬底进行加热并向所述工艺腔室通入反应气体，所述反应气体包括Ar和N₂；当所述工艺腔室的压力达到第一沉积压力且所述衬底的温度达到沉积温度时，关闭所述挡板，并在沉积时间内保持所述衬底的温度为所述沉积温度不变，以在所述衬底上沉积AlN薄膜；在所述沉积时间后停止对所述衬底进行加热、停止通入所述反应气体、且断开所述Al靶材和所述脉冲电源，以结束所述AlN薄膜的沉积。