[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，属于外延技术领域。GaN基发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的AlN薄膜缓冲层、三维成核层、二维缓冲恢复层和外延层，三维成核层为GaN层；三维成核层包括依次层叠在AlN薄膜缓冲层上的第一成核子层、第二成核子层和第三成核子层；其中，第一成核子层的生长压力为150‑250torr，生长温度为1000‑1100℃，V/III比为500‑1000；第二成核子层的生长压力为500‑700torr，生长温度为900‑1000℃，V/III比为100‑200；第三成核子层的生长压力为100‑200torr，生长温度为1100‑1150℃，V/III比为200‑300。通过分三个子层生长成核层来增强位错的相互作用，最终能够降低因AlN薄膜缓冲层与GaN之间的压应力而产生的各种位错，提高了Al原子的表面迁移率。

主权项

1.一种GaN基发光二极管外延片，所述GaN基发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的AlN薄膜缓冲层、三维成核层、二维缓冲恢复层和外延层，其特征在于，所述三维成核层为GaN层；所述三维成核层包括依次层叠在所述AlN薄膜缓冲层上的第一成核子层、第二成核子层和第三成核子层；其中，所述第一成核子层的生长压力为150‑250torr，所述第一成核子层的生长温度为1000‑1100℃，所述第一成核子层的V/III比为500‑1000；所述第二成核子层的生长压力为500‑700torr，所述第二成核子层的生长温度为900‑1000℃，所述第二成核子层的V/III比为100‑200；所述第三成核子层的生长压力为100‑200torr，所述第三成核子层的生长温度为1100‑1150℃，所述第三成核子层的V/III比为200‑300。