[发明专利]重新布线层的制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 201910078419.1 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN111489978A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 周祖源;赵强;陈彦亨;吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种重新布线层的制备方法及半导体结构，半导体结构包括基底及位于基底上表面的重新布线层；重新布线层包括金属柱；介质层，介质层包覆金属柱，且介质层中包括沟槽，沟槽的宽度小于金属柱的宽度，通过沟槽显露金属柱的上表面；金属种子层，金属种子层覆盖介质层的上表面以及沟槽的底部及侧壁；金属层，金属层填满沟槽并覆盖位于介质层上的金属种子层。本发明通过制作前期金属柱，以降低介质层中沟槽填充的深宽比，而后再制作金属层，可提高重新布线层的平坦度，避免在形成的重新布线层中产生凹槽，从而有利于后续制程工艺，并降低多层叠加的工艺风险，降低工艺难度及成本。 | ||
| 搜索关键词： | 重新 布线 制备 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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