[发明专利]一种快速开关IGBT结构

摘要

本发明公开了一种快速开关IGBT结构，包括从下至上层叠设置的集电极、P++集电极区、N+缓冲区、N‑漂移区、栅结构及顶部金属层，栅结构包括栅介质层、第一栅电极和第二栅电极，顶部金属层包括发射极和辅助电极，N‑漂移区上部设有第一P型基区和第二P型基区，第一P型基区上部设有第一P+发射极区和N+发射极区，第一P+发射极区和N+发射极区与发射极连接，第一P型基区和N+发射极区与第一栅电极对应，第二P型基区上部设有第二P+发射极区，第二P+发射极区与辅助电极连接，第二P型基区与第二栅电极或第一栅电极对应，辅助电极与发射极之间连接电感L1，发射极与外部端子之间连接电感L2，电感L1和电感L2构成互感。该结构可极大提高器件瞬态开关速度。

主权项

1.一种快速开关IGBT结构，包括从下至上依次层叠设置的集电极、P++集电极区、N+缓冲区、N‑漂移区、栅结构及顶部金属层，其特征在于：所述栅结构包括栅介质层及在所述栅介质层内分隔设置的第一栅电极和第二栅电极，所述顶部金属层包括分隔设置的发射极和辅助电极，所述N‑漂移区上部分隔设置有第一P型基区和第二P型基区，所述第一P型基区上部设有第一P+发射极区和N+发射极区，所述第一P+发射极区和N+发射极区均与所述发射极连接，所述第一P型基区和所述N+发射极区均与所述第一栅电极对应，所述第二P型基区上部设有第二P+发射极区，所述第二P+发射极区与所述辅助电极连接，所述第二P型基区与所述第二栅电极或第一栅电极对应，所述辅助电极与所述发射极之间连接电感L1，所述发射极与外部端子之间连接电感L2，所述电感L1和电感L2构成互感M1。