[发明专利]一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法有效
| 申请号： | 201910079448.X | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN111490151B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法：在基底上沉积底电极、磁性隧道结(MTJ)、硬掩模和牺牲掩模各膜层；图形化定义MTJ图案，选择性横向缩微硬掩模和牺牲掩模；刻蚀MTJ直到底电极之上并维持少量过刻蚀；沉积绝缘层，并使底电极刻蚀前端和牺牲掩模顶部绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度；对MTJ侧壁进行修剪；沉积底电极刻蚀用自对准掩模；刻蚀底电极；覆盖绝缘覆盖层，填充电介质并磨平。本发明在刻蚀MTJ和底电极时采用两次刻蚀，有效降低了阴影效应，另外在硬掩模刻蚀后，增加横向修剪工艺，使得后续底电极刻蚀前端和牺牲掩模顶端沉积绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度，大大提升修剪效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 超小型 磁性 随机 存储器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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