[发明专利]一种基于原子层沉积技术的泡沫铜制备方法有效
申请号: | 201910079495.4 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN111485221B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 陆雪强;左雪芹;潘晓霞 | 申请(专利权)人: | 江苏迈纳德微纳技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/01;C23C16/455 |
代理公司: | 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) 32323 | 代理人: | 田波 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的泡沫铜制备方法,首先在多孔聚氨酯模板上进行原子层沉积,先后脉冲入铜源前驱体1和还原性前驱体2,得到表面均匀包覆铜薄膜的三聚氰胺泡沫,然后将上述包覆铜薄膜的三聚氰胺泡沫在高温下除去模板,得到Cu泡沫,本发明利用原子层沉积的保形性,得到的泡沫铜完全复制了有机模板的结构,且通过调节原子层沉积的次数,可以精确控制铜膜的厚度,进而实现对泡沫铜力学性质,孔隙率,传热特性等的调控,使得泡沫铜的耐久性及抗氧化性明显高于普通技术制备的铜泡沫,具有广泛应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 原子 沉积 技术 泡沫 铜制 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的