[发明专利]一种基于原子层沉积技术的泡沫铜制备方法有效

专利信息
申请号: 201910079495.4 申请日: 2019-01-28
公开(公告)号: CN111485221B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 陆雪强;左雪芹;潘晓霞 申请(专利权)人: 江苏迈纳德微纳技术有限公司
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18;C23C16/01;C23C16/455
代理公司: 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) 32323 代理人: 田波
地址: 214000 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于原子层沉积技术的泡沫铜制备方法,首先在多孔聚氨酯模板上进行原子层沉积,先后脉冲入铜源前驱体1和还原性前驱体2,得到表面均匀包覆铜薄膜的三聚氰胺泡沫,然后将上述包覆铜薄膜的三聚氰胺泡沫在高温下除去模板,得到Cu泡沫,本发明利用原子层沉积的保形性,得到的泡沫铜完全复制了有机模板的结构,且通过调节原子层沉积的次数,可以精确控制铜膜的厚度,进而实现对泡沫铜力学性质,孔隙率,传热特性等的调控,使得泡沫铜的耐久性及抗氧化性明显高于普通技术制备的铜泡沫,具有广泛应用前景。
搜索关键词: 一种 基于 原子 沉积 技术 泡沫 铜制 方法
【主权项】:
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