[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管有效
| 申请号： | 201910080000.X | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109920890B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;乔楠;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，属于外延技术领域。该所述发光二极管外延片包括：衬底、以及依次层叠于所述衬底上的氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层、多量子阱层、P型复合层、P型掺杂氮化镓层和P型接触层；所述P型复合层包括：位于所述多量子阱层上的高温氮化铝子层，位于所述高温氮化铝层上的铝镓氮子层，以及位于所述铝镓氮子层上的含铟的氮化物子层，所述P型掺杂氮化镓层位于所述含铟的氮化物子层上。通过包含三个子层的P型复合层，一方面提升了电子阻挡的效果，另一方面保证了空穴的顺利通过。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底、以及依次层叠于所述衬底上的氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层、多量子阱层、P型复合层、P型掺杂氮化镓层和P型接触层；其特征在于，所述P型复合层包括：位于所述多量子阱层上的高温氮化铝子层，位于所述高温氮化铝层上的铝镓氮子层，以及位于所述铝镓氮子层上的含铟的氮化物子层，所述P型掺杂氮化镓层位于所述含铟的氮化物子层上。
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