[发明专利]一种减小漂移管中电子拉莫尔回旋半径的方法有效

专利信息
申请号: 201910080316.9 申请日: 2019-01-28
公开(公告)号: CN109860006B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 孙钧;张广帅;吴平;史彦超;曹亦兵;谭维兵 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H01J25/10 分类号: H01J25/10;H01J23/10
代理公司: 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 代理人: 刘瑞东
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明为一种减小漂移管中电子拉莫尔回旋半径的方法,即将平行梯度磁场加载在圆柱漂移管中过渡区域z0≤z≤z1范围内,电子从均匀轴向磁场强度为B0的区域经过过渡区域平行梯度磁场作用后进入轴向磁场强度为B1的区域,B1B0,过渡区域平行梯度磁场的Br分量能够实现电子的横向动量和轴向动量的转化。当电子进入平行梯度磁场时径向速度沿径向向外,且离开平行梯度磁场时径向速度沿径向向内,平行梯度磁场作用使电子横向动量减小,进而抑制电子束径向振荡。将该方法应用于低磁场O型高功率微波产生器件中,能够提高波束互作用效率,有效避免电子轰击器件高频结构,降低强电磁场真空击穿的风险,有利于高功率微波产生器件高效稳定运行。
搜索关键词: 一种 减小 漂移 电子 莫尔 回旋 半径 方法
【主权项】:
1.一种减小漂移管中电子拉莫尔回旋半径的方法,其特征在于:在半径为Rd的圆柱漂移管中施加角向均匀平行梯度磁场,平行梯度磁场区域长度为L,在始端z0处的轴向磁感应强度为B0,在末端z1处的轴向磁感应强度为B1,且B1<B0;z<z0处的漂移管浸没在磁感应强度为B0的均匀轴向引导磁场中,z>z1处的漂移管浸没在磁感应强度为B1的均匀轴向引导磁场中;当电子进入平行梯度磁场时径向速度沿径向向外,且离开平行梯度磁场时径向速度沿径向向内,经过平行梯度磁场作用后,电子横向动量减小,进而抑制电子束径向振荡。
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