[发明专利]谐振器及半导体器件在审

专利信息
申请号: 201910080476.3 申请日: 2019-01-28
公开(公告)号: CN110868169A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;崔玉兴;杨志;李宏军 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/15
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 郝伟
地址: 050051 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器和半导体器件。该谐振器包括:衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;其中,在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体,所述腔体由所述衬底的上侧面和所述多层结构的下侧面围成,所述多层结构的下侧面与所述腔体对应部分的中部区域为平面,且中部区域的边缘与所述腔体边缘之间为圆滑过渡的平滑曲面,所述平滑曲面位于所述衬底的上侧面和所述平面之间。上述谐振器通过设置顶壁为平面的腔体,从而形成一种新型的谐振器结构,且具有较好的性能。
搜索关键词: 谐振器 半导体器件
【主权项】:
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