[发明专利]一种发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法在审
申请号: | 201910080832.1 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN109768134A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 孙雷蒙;杨丹;周强;刘旺 | 申请(专利权)人: | 华引芯(武汉)科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/44;H01L33/36;H01L33/00 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 冯子玲 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法,包括外延层,外延层分别是由N型层、发光层MQW和P型层组成,且N型层的顶部固定连接有发光层MQW,所述发光层MQW的顶部固定连接有P型层,外延层的P型层上覆有mirror反射层,mirror反射层上覆有Barrier金属保护层,本发明涉及LED芯片制造技术领域。该发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法,可很好的达到简单易实施的目的,在芯片端完成芯片集成,减少下游封装厂的固晶频次,提高其生产效率,随着频次的减少一并提升生产的良率,采用通孔式设计,提升电流扩展效率,增加散热,降低光损失,采用反转设计,将N电极做整面导电材料,大电流的情况下,有助电流传导及散热。 | ||
搜索关键词: | 反转 垂直结构 高压芯片 发光层 高效率 外延层 制备 发光 反射层 散热 电流扩展效率 金属保护层 导电材料 电流传导 生产效率 芯片集成 大电流 光损失 通孔式 固晶 良率 封装 芯片 制造 生产 | ||
【主权项】:
1.一种发光高效率反转垂直结构高压芯片,包括外延层(1),所述外延层(1)分别是由N型层、发光层MQW和P型层组成,且N型层的顶部固定连接有发光层MQW,所述发光层MQW的顶部固定连接有P型层,其特征在于:所述外延层(1)的P型层上覆有mirror反射层(2),且mirror反射层(2)上覆有Barrier金属保护层(3),所述Barrier金属保护层(3)上沉积有PV钝化层(4),且PV钝化层(4)的上方贴合有桥接扩展电极(5),所述桥接扩展电极(5)上贴合有金属导电基板(6),所述外延层(1)内部的两侧分别安装有P‑pad层(7)和N‑pad层(9),且P‑pad层(7)和N‑pad层(9)与外延层(1)之间贴合有PV绝缘层(8)。
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