[发明专利]一种发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法，包括外延层，外延层分别是由N型层、发光层MQW和P型层组成，且N型层的顶部固定连接有发光层MQW，所述发光层MQW的顶部固定连接有P型层，外延层的P型层上覆有mirror反射层，mirror反射层上覆有Barrier金属保护层，本发明涉及LED芯片制造技术领域。该发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法，可很好的达到简单易实施的目的，在芯片端完成芯片集成，减少下游封装厂的固晶频次，提高其生产效率，随着频次的减少一并提升生产的良率，采用通孔式设计，提升电流扩展效率，增加散热，降低光损失，采用反转设计，将N电极做整面导电材料，大电流的情况下，有助电流传导及散热。

主权项

1.一种发光高效率反转垂直结构高压芯片，包括外延层(1)，所述外延层(1)分别是由N型层、发光层MQW和P型层组成，且N型层的顶部固定连接有发光层MQW，所述发光层MQW的顶部固定连接有P型层，其特征在于：所述外延层(1)的P型层上覆有mirror反射层(2)，且mirror反射层(2)上覆有Barrier金属保护层(3)，所述Barrier金属保护层(3)上沉积有PV钝化层(4)，且PV钝化层(4)的上方贴合有桥接扩展电极(5)，所述桥接扩展电极(5)上贴合有金属导电基板(6)，所述外延层(1)内部的两侧分别安装有P‑pad层(7)和N‑pad层(9)，且P‑pad层(7)和N‑pad层(9)与外延层(1)之间贴合有PV绝缘层(8)。