[发明专利]一种太阳能薄膜电池及制造方法在审
申请号: | 201910082055.4 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN111490109A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 姜鑫先;李博研;宋斌斌;赵颖;邱阳;张树旺;王新宇;钟大龙 | 申请(专利权)人: | 神华(北京)光伏科技研发有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 王崇 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能薄膜电池及制造方法,涉及电池技术领域,在不降低组件有效透光面积的情况下,增加导电栅线与透明导电层的有效接触面积,降低接触电阻,提高电池转换效率,同时防止导电栅线被腐蚀,保证组件的长期可靠性。本发明由太阳能薄膜电池的第一表面到第二表面,至少包括依次设置的封装层、导电栅线、第一透明导电层以及光电转化组合叠层,封装层和第一透明导电层之间设有第二透明导电层,第二透明导电层为对应导电栅线设置的条状结构,第一透明导电层和第二透明导电层贴合,导电栅线被第一透明导电层和第二透明导电层包裹。本发明用于太阳能发电。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能 薄膜 电池 制造 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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