[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，该阵列基板的制造方法在有源层上通过多灰阶光罩对第一光阻进行曝光和显影，使第一光阻形成位于栅极上方的第一厚光阻区、位于端子栅极上方的第一无光阻区以及位于第一厚光阻区和第一无光阻区之间的第一薄光阻区；再刻蚀掉第一无光阻区内的有源层和栅极绝缘层，形成位于端子栅极上方的端子接触孔；对第一光阻进行灰化后刻蚀形成位于栅极上方的半导体层；使得制造源漏极金属的第二金属层可以通过端子接触孔与端子栅极直接连接，同时通过像素电极设在源漏极金属层下的结构减少光罩数量，避免了通过其他导电层桥接的不良风险。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：S1：在衬底基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化形成位于像素区域内的栅极和位于端子区域内的端子栅极；S2：在第一金属层上覆盖并形成栅极绝缘层，接着在栅极绝缘层上覆盖有源层；S3：在有源层上涂覆第一光阻，通过多灰阶光罩对第一光阻进行曝光和显影，使第一光阻形成位于栅极上方的第一厚光阻区、位于端子栅极上方的第一无光阻区以及位于第一厚光阻层和第一无光阻区之间的第一薄光阻区；S4：在所述S3的基础上进行刻蚀，刻蚀掉第一无光阻区内的有源层和栅极绝缘层，形成位于端子栅极上方的端子接触孔；S5：对第一光阻进行灰化，第一薄光阻区被灰化干净，第一厚光阻区厚度减薄，再进行刻蚀，刻蚀掉除第一厚光阻区覆盖区域以外的有源层，形成位于栅极上方的半导体层；S6：剥离残留的第一光阻；S7‑2：在所述S6的基础上覆盖第一透明导电层，再在第一透明导电层上覆盖第二金属层；S8‑2：对第二金属层进行图案化形成位于像素区域内的源漏极金属层和位于端子区域内的部分第二金属层；S9‑2：对第一透明导电层进行图案化，暴露出沟道区域的半导体层，并将端子区域内的第一透明导电层与像素区域内的第一透明导电层断开；S10‑2：在所述S9‑2的基础上覆盖并形成第一无机绝缘层，对第一无机绝缘层进行图案化形成位于端子栅极上方的第二端子接触孔；S11‑2：在所述S10‑2的基础上覆盖第二透明导电层，对第二透明导电层进行图案化。