[发明专利]融合型存储器的写入、擦除方法有效
| 申请号： | 201910083189.8 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109887532B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;罗庆;许晓欣;龚天成;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种融合型存储器的写入和擦除方法。其中写入方法包括中，融合性存储器包括多个存储单元，各存储单元块体衬底；衬底上方的源极、漏极和源极漏极之间延伸的沟道区，以及沟道区上堆叠的铁电层和栅极；其中，所述写入方法包括：在所述至少一个的存储单元的栅极和块体之间施加第一电压，所述第一电压小于所述铁电层发生极化翻转的翻转电压；所述源极和漏极分别为接地或者为浮置状态。本公开中，可以控制正向的第一电压实现数据的写入，与现有的DRAM比较，在85℃有1000秒以上的保持时间，速度与DRAM相当，保持特性大幅优于现有技术的DRAM。 | ||
| 搜索关键词： | 融合 存储器 写入 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种融合型存储器的写入方法，该融合型存储器包括多个存储单元，各存储单元块体衬底；衬底上方的源极、漏极和源极漏极之间延伸的沟道区，以及沟道区上堆叠的铁电层和栅极；其中，所述写入方法包括：在所述至少一个存储单元的栅极和块体之间施加第一电压，所述第一电压小于所述铁电层发生极化翻转的翻转电压；所述源极和漏极分别为接地或者为浮置状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910083189.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
