[发明专利]一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910083296.0 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109537055A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陶绪堂;穆文祥;贾志泰 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/34 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法。该晶体分子式为β‑(Ga1‑xAx)2O3，A代表Ca、Zn、Ti、或Ni元素，0.0001≤x≤0.2。晶体生长方法可以为光浮区法、提拉法、导模法等常用晶体生长方法。与现有技术相比，本发明获得氧化镓晶体具有高的电阻率，可用作半绝缘衬底，用于场效应晶体管、高迁移率晶体管等器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半绝缘 氧化镓 晶体生长 制备 高迁移率晶体管 场效应晶体管 导模法 电阻率 浮区法 提拉法 衬底 可用 | ||
【主权项】：
1.一种半绝缘氧化镓晶体，其特征在于，该晶体分子式为β‑(Ga1‑xAx)2O3，A代表Ca、Zn、Ti或Ni元素，0.0001≤x≤0.2。
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