[发明专利]基于惰性气体/氧等离子体的薄膜沉积方法及装置

摘要

本发明属于等离子体技术应用领域，具体涉及一种基于惰性气体/氧等离子体的薄膜沉积方法。该方法包括将载气通入前驱体，收集夹带前驱体蒸汽的载气，然后与激发气体混合进行等离子体处理得到处理后的混合物，将其沉积于基板表面，控制基板温度，经反应得到沉积于基板上的薄膜；激发气体包括惰性气体和氧气，载气包括氩气，惰性气体包括氩气。该方法以氧气为激发气体，可以扩大放电通道，使放电过程更加稳定，增加了Si‑O‑Si、Si‑OH两种基团的含量，使其在薄膜生长区域内稳定沉积，改善薄膜的均匀性；通过控制基板的温度，可以加快原子在基板的迁移速率，减少团聚现象和孔洞结构，使基团分布更均匀，薄膜结构更致密。

主权项

1.一种基于惰性气体/氧等离子体的薄膜沉积方法，其特征在于，包括，将载气通入前驱体，收集夹带前驱体蒸汽的载气，所述载气为惰性气体；将夹带前驱体蒸汽的载气与激发气体混合，并进行等离子体处理，得到等离子体处理后的混合物，所述激发气体包括氧气；将等离子体处理后的混合物沉积于基板表面，控制所述基板的温度为60‑150℃，在基板表面反应后得到沉积于基板上的薄膜。